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参数资料
| 型号： | FQU2N90TU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK |
| 标准包装： | 5,040 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.2 欧姆 @ 850mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
January 201 4
FQD2N90 / FQU2N90
N-Channel QFET ? MOSFET
900 V, 1.7 A, 7.2 Ω
Description
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is
produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary
planar stripe and DMOS technology. This advanced
MOSFET technology has been especially tailored to
reduce on-state resistance, and to provide superior
switching performance and high avalanche energy
strength. These devices are suitable for switched mode
power supplies, active power factor correction (PFC), and
electronic lamp ballasts.
Features
? 1.7 A, 900 V, R DS(on) = 7.2 Ω (Max.) @ V GS = 10 V,
I D = 0.85 A
? Low Gate Charge (Typ. 12 nC)
? Low Crss (Typ. 5.5 pF)
? 100% Avalanche Tested
? RoHS Compliant
D
D
G
S
D-PAK
G
D
S
I-PAK
G
S
= 25 C unless otherwise noted.
Absolute Maximum Ratings T
C
o
Symbol
*
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Parameter
FQD2N90TM
FQU2N90TU_WS
FQU2N90TU_AM002
())
Unit
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6
6
Thermal Characteristics
Thermal Resistance, Junction to Ambient ( * 1 in pad of 2 oz copper), Max.
Symbol
R ? JC
R ? JA
Parameter
Thermal Resistance, Junction to Case, Max .
Thermal Resistance, Junction to Ambient (minimum pad of 2 oz copper), Max.
2
FQD2N90TM
FQU2N90TU_WS
FQU2N90TU_AM002
2. 5
110
50
Unit
o C/W
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD2N90 / FQU2N90 Rev. C2
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQU3N50CTU | MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK |
| FQU5N40TU | MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK |
| FQU5P20TU | MOSFET P-CH 200V 3.7A IPAK |
| FS2050-0000-1500-G | SENSOR COMP LOAD CELL 1500GF |
| FSG15N1A | SENSOR NON-COMPENSATED 1500G |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQU2N90TU_AM002 | 功能描述:MOSFET 900V 1.6A 7.8Ohm N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQU2N90TU_WS | 功能描述:MOSFET 900V 1.6A 7.8Ohm N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQU2P25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V P-Channel MOSFET |
| FQU2P25TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQU2P40 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V P-Channel MOSFET |
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