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参数资料
| 型号： | FQU5N40TU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 70 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 400V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.6 欧姆 @ 1.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 460pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
Package Marking and Ordering Information
Part Number
FQU 5 N 40 TU
Top Mark
FQU5N40
Package
I PAK
Packing Method
Tube
Reel Size
N/A
Tape Width
N/A
Quantity
70 units
Electrical Characteristics
T C = 25°C unless otherwise noted .
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Max .
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V DS = 320 V, I D = 4.5 A,
V GS = 10 V
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Notes:
1. Repetitive r ating: p ulse - width limited by maximum junction temperature .
2. L = 44 mH, I AS = 3.4 A, V DD ≤ 50 V, R G = 25 Ohm, s tarting T J = 25 o C .
3. I SD ≤ 4.5A, di/dt ≤ 200 A/us, V DD ≤ BVDSS, s tarting T J = 25 o C .
4. Essentially independent of operating temperature .
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQU5N40 Rev. C3
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQU5P20TU | MOSFET P-CH 200V 3.7A IPAK |
| FS2050-0000-1500-G | SENSOR COMP LOAD CELL 1500GF |
| FSG15N1A | SENSOR NON-COMPENSATED 1500G |
| FTAS225-57AN | TOUCH SCREEN DIGITAL 5.7" |
| FTCS04B | CONTROLLER FOR 4-WIRE RS232C |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQU5N50 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FQU5N50C | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FQU5N50CTU | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQU5N50CTU_WS | 功能描述:MOSFET 500V,4.0A NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQU5N50TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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