参数资料
型号: FQU5P20TU
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET P-CH 200V 3.7A IPAK
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
标准包装: 70
系列: QFET™
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.4 欧姆 @ 1.85A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 430pF @ 25V
功率 - 最大: 2.5W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商设备封装: I-Pak
包装: 管件
Figure 12 . Gate Charge Test Circuit & Waveform
Same Type
V GS
12V
200nF
50K Ω
300nF
as DUT
-10V
Q g
V GS
V DS
Q gs
Q gd
DUT
-3mA
I G = const .
Charge
Figure 13 . Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
V DS
R L
t on
t off
R G
V GS
V DD
V GS
10%
t d(on)
t r
t d(off)
t f
GS
-10V
DUT
V DS
90%
Figure 14 . Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DSS
E AS = ---- L I AS2 --------------------
BV DSS - V DD
V DS
L
1
2
I D
t p
Time
GS
-10V
R G
DUT
V DD
V DD
I AS
I D (t)
V DS (t)
t p
BV DSS
? 2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD5P20 / FQU5P20 Rev. C0
5
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
FQU60N03L 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40.3A I(D) | TO-251AA
FQU60N03LTU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQU630 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET
FQU6N15 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:150V N-Channel MOSFET
FQU6N25 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET