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参数资料
| 型号： | FS2540-9PD2B2 |
| 厂商： | POWER-ONE INC |
| 元件分类： | 电源模块 |
| 英文描述： | 2-OUTPUT 100 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
| 封装： | METAL, CASE S02, MODULE |
| 文件页数： | 24/33页 |
| 文件大小： | 438K |
| 代理商： | FS2540-9PD2B2 |
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S Series Data Sheet
100 Watt AC-DC and DC-DC Converters
APR 26, 2006 revised to SEP 25, 2006
Page 30 of 33
www.power-one.com
V output (V0, V2, V3):
Connector pin V is internally connected to the open collector of
an NPN transistor. The emitter is connected to Vo1- or Vo-.
VV ≤ 0.6 V (logic low) corresponds to a monitored voltage level
(Vi and/or Vo1) <Vt. The current IV through the open collector
should not exceed 50 mA. The NPN output is not protected
against external overvoltages. VV should not exceed 60 V.
Vi, Vo1 status
V output,
VV
Vi or Vo1 < Vt
low, L,
VV ≤ 0.6 V at IV = 50 mA
Vi and Vo1 > Vt + Vh
high, H,
IV ≤ 25 A at VV = 5.1 V
Fig. 35
Output configuration of options V0, V2, and V3
Vo1+
Vo1–
V
VV
IV
Rp
Input
11009
Threshold tolerances and hysteresis:
If Vi is monitored, the internal input voltage is measured after the
input filter. Consequently, this voltage differs from the voltage at
the connector pins by the voltage drop DVti across the input
filter. The threshold level of option V0 is adjusted during
manufacture at Io nom and TA = 25 °C. The value of ΔVti
depends upon the input voltage range (AS, BS, etc.), threshold
level Vt, temperature and input current. The input current is a
function of input voltage and output power.
ΔV
ti
Vhi
VV low
VV
VV high
Vi
P
o
=
P
o
nom
P
o
=
0
P
o
=
0
Vti
P
o
=
P
o
nom
11023
Fig. 36
Definition of Vti, ΔVti and Vhi
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FS2660-7EPD0B2 | 2-OUTPUT 100 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
| FS2660-7EPTB2 | 2-OUTPUT 100 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
| FS2660-7ERD7TB2 | 2-OUTPUT 100 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
| G206CUB500-6VAC-P | SINGLE COLOR DISPLAY CLUSTER, ULTRA BLUE, 5 mm |
| G206CLW7-60VAC-BP | SINGLE COLOR DISPLAY CLUSTER, LIME WHITE, 5 mm |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FS25R06KF | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 25A I(C) |
| FS25R06KF2 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 25A I(C) |
| FS25R10KF2 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 25A I(C) |
| FS25R12KE3G | 功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 40A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FS25R12KF | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 25A I(C) |
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