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参数资料
| 型号： | FS6M12653RTCYDT |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWIT PWM CM OVP OCP HV TO220 |
| 标准包装： | 400 |
| 频率范围： | 63kHz ~ 77kHz |
| 输入电压： | 9 V ~ 35 V |
| 输出电压： | 650V |
| 功率（瓦特）： | 50W |
| 工作温度： | -25°C ~ 150°C |
| 封装/外壳： | TO-220-5 全封装（成形引线） |
| 供应商设备封装： | TO-220F-5L（成形） |
| 包装： | 管件 |
FS6M12653RTC
Electrical Characteristics (SFET part)
(Ta=25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Static Drain-Source On Resistance (1)
Symbol
BV DSS
I DSS
R DS(ON)
Condition
V GS =0V, I D =250 μ A
V DS =650V, V GS =0V
V DS =520V
V GS =0V, T C =125 ° C
V GS =10V, I D =1.8A
Min.
650
-
-
-
Typ.
-
-
-
0.73
Max.
-
200
300
0.9
Unit
V
μ A
μ A
?
Forward Transconductance
(2)
gfs
V DS =50V, I D =1.8A
-
-
-
S
Input Capacitance
Ciss
-
1820
-
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn On Delay Time
Rise Time
Turn Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
(Gate-Source+Gate-Drain)
Gate-Source Charge
Gate-Drain (Miller) Charge
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
V GS =0V, V DS =25V,
f = 1MHz
V DD =325V, I D =6.5A
(MOSFET switching
time are essentially
independent of
operating temperature)
V GS =10V, I D =6.5A,
V DS =520V (MOSFET
Switching time are
Essentially independent of
Operating temperature)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
185
32
38
120
200
100
60
10
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
pF
nS
nC
2. S = ----
Note:
1. Pulse test : Pulse width ≤ 300 μ S, duty 2%
1
R
3
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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