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参数资料
| 型号： | FSAM20SH60A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 14/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SMART POWER MODULE 20A SPM32-AA |
| 产品培训模块： | Smart Power |
| 标准包装： | 8 |
| 系列： | SPM™ |
| 类型： | IGBT |
| 配置： | 3 相 |
| 电流： | 20A |
| 电压： | 600V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 封装/外壳： | SPM32AA |
| 产品目录页面： | 1222 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FSAM20SH60A_NL FSAM20SH60A_NL-ND |
Detailed Package Outline Drawings
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?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FSAM20SH60A Rev. C8
14
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSAM20SM60A | SMART POWER MODULE 20A SPM32-AA |
| FSAM30SH60A | SMART POWER MODULE 30A SPM32-AA |
| FSAM30SM60A | SMART POWER MODULE 30A SPM32-AA |
| FSAM50SM60A | IC SMART PWR MODULE SPM32-CA |
| FSAM75SM60A | IC SMART PWR MODULE SPM32-CA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FSAM20SH60A_03 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:SPMTM (Smart Power Module) |
| FSAM20SL60 | 功能描述:IGBT 晶体管 600V 20A SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FSAM20SM60A | 功能描述:IGBT 晶体管 600V/20A/ SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FSAM30SH60A | 功能描述:IGBT 模块 600V/30A/ SPM2 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSAM30SH60A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:POWER SUPPLY IC 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Power Supply IC |
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