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参数资料
| 型号： | FSAM75SM60A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SMART PWR MODULE SPM32-CA |
| 产品培训模块： | Smart Power |
| 标准包装： | 8 |
| 系列： | SPM™ |
| 类型： | IGBT |
| 配置： | 3 相 |
| 电流： | 75A |
| 电压： | 600V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 封装/外壳： | SPM32CA |
| 产品目录页面： | 1222 (CN2011-ZH PDF) |
Electrical Characteristics
Inverter Part (T J = 25°C, unless otherwise specified.)
Item
Collector - emitter
Symbol
V CE(SAT) V CC = V BS = 15 V
Condition
I C = 50 A, T J = 25°C
Min.
-
Typ.
-
Max.
2.4
Unit
V
Saturation Voltage
V IN = 0 V
FWDi Forward Voltage
V FM
V IN = 5 V
I C = 50 A, T J = 25°C
-
-
2.1
V
Switching Times
Collector-Emitter
t ON
t C(ON)
t OFF
t C(OFF)
t rr
I CES
V PN = 300 V, V CC = V BS = 15 V
I C = 75 A, T J = 25°C
V IN = 5 V ? 0 V, Inductive Load
(High- And Low-Side)
(2nd Note 4)
V CE = V CES , T J = 25°C
-
-
-
-
-
-
0.76
0.44
1.42
0.46
0.10
-
-
-
-
-
-
250
? s
? s
? s
? s
? s
? A
Leakage Current
2nd Notes:
4. t ON and t OFF include the propagation delay time of the internal drive IC. t C(ON) and t C(OFF) are the switching time of IGBT itself under the given gate driving condition
internally. For the detailed information, please see Figure 4.
t rr
100% I C
V CE
V IN
I C
V IN
I C
V CE
V IN(ON)
t ON
t C(ON)
90% I C
t OFF
t C(OFF)
10% I C
10% V CE
V IN(OFF)
10% V CE
10% I C
(a) Turn-on
Figure 4. Switching Time Definition
(b) Turn-off
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FSAM75SM60A Rev. C4
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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