参数资料
型号: FSBH0F70ANY_F116
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 6/16页
文件大小: 0K
描述: IC OFF-LINE SWITCH PWM 8DIP
标准包装: 50
系列: FPS™
输出隔离: 隔离
频率范围: 94kHz ~ 106kHz
输入电压: 9 V ~ 30 V
输出电压: 700V
功率(瓦特): 10W
工作温度: -40°C ~ 105°C
封装/外壳: *
供应商设备封装: *
包装: *
Electrical Characteristics
V DD =15 V and T A =25 ? C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
SenseFET Section
BV DSS
I DSS
Drain-Source
Breakdown Voltage
Zero-Gate-Voltage
Drain Current
I D =250 μA, V GS =0 V
V DS =700 V, V GS =0 V
V DS =560 V, V GS =0 V, T C =125 ? C
FSBH0F70A_F116
700
14.00
50
200
19.00
V
μ A
R DS(ON)
Drain-Source On-
State Resistance (12)
V GS =10 V, I D =0.5 A
FSBH0170_F116
FSBH0270_F116
8.80
6.00
11.00
7.20
?
FSBH0370_F116
FSBH0F70A_F116
4.00
162
4.75
211
C ISS
Input Capacitance
V GS =0 V, V DS =25 V,
f=1 MHz
FSBH0170_F116
FSBH0270_F116
250
550
325
715
pF
FSBH0370_F116
FSBH0F70A_F116
315
18
410
24
C OSS
Output Capacitance
V GS =0 V, V DS =25 V,
f=1 MHz
FSBH0170_F116
FSBH0270_F116
25
38
33
50
pF
FSBH0370_F116
FSBH0F70A_F116
47
3.8
61
5.7
C RSS
Reverse Transfer
Capacitance
V GS =0 V, V DS =25 V,
f=1 MHz
FSBH0170_F116
FSBH0270_F116
10.0
17.0
15.0
26.0
pF
FSBH0370_F116
FSBH0F70A_F116
9.0
9.5
24.0
29.0
t D(ON)
Turn-On Delay
V DS =350 V, I D =1.0 A
FSBH0170_F116
FSBH0270_F116
12.0
20.0
34.0
50.0
ns
FSBH0370_F116
FSBH0F70A_F116
11.2
19
33.0
48
t R
Rise Time
V DS =350 V, I D =1.0 A
FSBH0170_F116
FSBH0270_F116
4
15
18
40
ns
FSBH0370_F116
FSBH0F70A_F116
34
33.0
78
76.0
t D(OFF)
Turn-Off Delay
V DS =350 V, I D =1.0 A
FSBH0170_F116
FSBH0270_F116
30.0
55.0
70.0
120.0
ns
FSBH0370_F116
FSBH0F70A_F116
28.2
42
67.0
94
t F
Fall Time
V DS =350 V, I D =1.0 A
FSBH0170_F116
FSBH0270_F116
10
25
30
60
ns
FSBH0370_F116
32
74
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? 2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FSBH0F70A_F116, FSBH0170/0270/0370_F116 ? Rev. 1.0.2
6
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参数描述
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FS-BLUE 制造商:Vastech Inc 功能描述:LED STRIP,FLEXIBLE,BLUE,96 LED,12V@640mA,427nm,96cm,750*96mc
FSBM10SH60 功能描述:IGBT 晶体管 600V 10A SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FSBM10SH60A 功能描述:IGBT 晶体管 600V/10A/ SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube