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参数资料
| 型号： | FSQ311 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PWM FLYBCK ISO CM 8DIP |
| 标准包装： | 50 |
| 输出隔离： | 隔离 |
| 输入电压： | 9 V ~ 20 V |
| 输出电压： | 650V |
| 功率（瓦特）： | 10W |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-DIP |
| 包装： | 管件 |
Electrical Characteristics
T A =25 ? C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
SenseFET Section
BV DSS
I DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate-Voltage Drain Current
FSQ0365
V CC =0V, I D =100μA
V DS =650V
650
3.5
100
4.5
V
μA
R DS(ON)
Drain-Source On-
State Resistance (11)
FSQ0265
FSQ0165
T J =25 ? C, I D =0.5A
5.0
8.0
6.0
10.0
??
FSQ321
FSQ0365
14.0
315
19.0
C ISS
Input Capacitance
FSQ0265
FSQ0165
V GS =0V, V DS =25V, f=1MHz
550
250
pF
FSQ321
FSQ0365
162
47
C OSS
Output Capacitance
FSQ0265
FSQ0165
V GS =0V, V DS =25V, f=1MHz
38
25
pF
FSQ321
FSQ0365
18
9.0
C RSS
Reverse Transfer
Capacitance
FSQ0265
FSQ0165
V GS =0V, V DS =25V, f=1MHz
17.0
10.0
pF
FSQ321
FSQ0365
3.8
11.2
t d(on)
Turn-On Delay
FSQ0265
FSQ0165
V DD =350V, I D =25mA
20.0
12.0
ns
FSQ321
FSQ0365
9.5
34
t r
Rise Time
FSQ0265
FSQ0165
V DD =350V, I D =25mA
15
4
ns
FSQ321
FSQ0365
19
28.2
t d(off)
Turn-Off Delay
FSQ0265
FSQ0165
V DD =350V, I D =25mA
55.0
30.0
ns
FSQ321
FSQ0365
33.0
32
t f
Fall Time
FSQ0265
FSQ0165
V DD =350V, I D =25mA
25
10
ns
Burst-Mode Section
FSQ321
42
V BURH
0.45
0.55
0.65
V
V BURL
Burst-Mode Voltage
T J =25°C, t PD =200ns (12)
0.25
0.35
0.45
V
V BUR(HYS)
Continued on the following page…
200
mV
? 2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FSQ0365, FSQ0265, FSQ0165, FSQ321 ? Rev. 1.0.6
6
www.fairchildsemi.com
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