参数资料
型号: FZ09P14SG1
厂商: FCT ELECTRONIC GMBH
元件分类: D-微型连接器
英文描述: 9 CONTACT(S), MALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER, PLUG
封装: ROHS COMPLIANT
文件页数: 6/12页
文件大小: 1186K
代理商: FZ09P14SG1
ALL DIMENSIONS IN MILLIMETERS - VALUES FOR INCHES IN BRACKETS - TECHNICAL DATA SUBJECT TO CHANGE
11
DS 10/2007
Contact Arrangements
Polbilder
Face view of pin connector
Blick auf Steckseite Stiftsteckverbinder
Face view of socket connector
Blick auf Steckseite Buchsensteckverbinder
Technical Data
Technische Daten
Modifications
Modifikationen
All FCT D-Sub connectors (including crimp versions etc.) are available in many different combinations of materials and platings. For example, shells can
be supplied in a non – magnetic version made of brass, which can be electroless nickel, or gold plated for use in aerospace technology.
Alle FCT D-Sub Steckverbinder (auch Crimp Versionen, usw.) sind in vielen verschiedenen Material- und Oberflchenkombinationen erhltlich. So z. B.
Gehuse in nichtmagnetischer Ausführung aus Messing bzw. chemisch vernickelte oder vergoldete Gehuse für Luft- und Raumfahrtanwendungen.
Shell Size
Number of Contacts
Pin Connector, Connecting Side
Gehusegre
Polzahl
Stiftsteckverbinder, Ansicht steckseitig
1
9
2
15
3
25
4
37
5
50
相关PDF资料
PDF描述
FZ09P14SG2 9 CONTACT(S), MALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER, PLUG
FZ09P14SG3 9 CONTACT(S), MALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER, PLUG
FZ09P1G1 9 CONTACT(S), MALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER, PLUG
FZ09P1G2 9 CONTACT(S), MALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER, PLUG
FZ09P1G3 9 CONTACT(S), MALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER, PLUG
相关代理商/技术参数
参数描述
FZ0H473Z 制造商:NEC 功能描述:MAX CAP .047F 5.5V
FZ1000R12KF5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
FZ1000R16KF4 功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.6KV 1.6KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FZ1000R25KF1 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
FZ1000R33HE3 功能描述:IGBT 模块 IGBT 3300V 1000A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: