型号: | FZ800R12KS4 |
厂商: | Electronic Theatre Controls, Inc. |
英文描述: | IGBT-Module |
中文描述: | IGBT的模块 |
文件页数: | 8/9页 |
文件大小: | 101K |
代理商: | FZ800R12KS4 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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FZ800R12KS4_B2 | 功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 1.2KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
FZ800R12KS4V2 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:IGBT Module |
FZ800R16KF4 | 功能描述:IGBT 模块 1600V 800A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
FZ800R17KF4C | 功能描述:IGBT 模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
FZ800R17KF6C_B2 | 功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.3KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |