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参数资料
型号： FZ800R12KS4
厂商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： IGBT-Module
中文描述： IGBT的模块
文件页数： 8/9页
文件大小： 101K
代理商： FZ800R12KS4
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 800 R12 KS4
Vorlufige Daten
Preliminary data
Z
t
[
t [sec]
i
1
2
3
4
r
i
[K/kW]
: IGBT
τ
i
[sec]
: IGBT
r
i
[K/kW]
: Diode
τ
i
[sec]
: Diode
3,85
0,0064
5,78
0,0064
5,68
0,0493
8,52
0,0493
6,15
0,0916
9,22
0,0916
2,32
1,5237
3,48
1,5237
Transienter Wrmewiderstand Z
thJC
= f (t)
Transient thermal impedance
0,0001
0,001
0,01
0,1
0,001
0,01
0,1
1
10
Zth:IGBT
Zth:Diode
8 (9)
FZ800R12KS4, preliminary.xls
15.06.00
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PDF描述
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FZ800R16KF4 功能描述:IGBT 模块 1600V 800A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FZ800R17KF4C 功能描述:IGBT 模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FZ800R17KF6C_B2 功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.3KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
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