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GAS1010

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    GAS1010

    GAS1010

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 5000

  • Laird Technologies IAS

  • 标准封装

  • 16+

  • -
  • 百分百原装正品,假一罚十

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GAS1010 技术参数
  • GAP3SLT33-220FP 功能描述:DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):3300V(3.3kV) 电流 - 平均整流(Io):300mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.7V @ 300mA 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr):0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 3300V 不同?Vr,F 时的电容:42pF @ 1V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 整包 供应商器件封装:TO-220FP 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:500 GAP3SLT33-214 功能描述:DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):3300V(3.3kV) 电流 - 平均整流(Io):300mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):2.2V @ 300mA 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr):0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 3300V 不同?Vr,F 时的电容:42pF @ 1V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA,SMB 供应商器件封装:DO-214AA 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:1 GAP05SLT80-220 功能描述:DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):8000V(8kV) 电流 - 平均整流(Io):50mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):4.6V @ 50mA 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr):0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3.8μA @ 8000V 不同?Vr,F 时的电容:25pF @ 1V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:轴向 供应商器件封装:- 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:10 GAN FET BOOK-WIPO 功能描述:TEXT WIRELESS POWER HANDBOOK 制造商:epc 系列:- 零件状态:过期 配件类型:导轨 配套使用产品/相关产品:- 标准包装:1 GAN FET BOOK SIMPLIFIED CHINESE VERSION 功能描述:TEXT GAN TRANSISTORS 制造商:epc 系列:eGaN? 零件状态:有效 标准包装:15 GATELEAD28128HPSA1 GATELEAD28129HPSA1 GATELEAD28133HPSA1 GATELEAD28489HPSA1 GATELEAD30258HPSA1 GATELEAD30406HPSA1 GATELEADL500G2K2XPSA1 GATELEADL500PB20G1KXPSA1 GATELEADL500PB34602XPSA1 GATELEADL500PB34701XPSA1 GATELEADL75005MPXPSA1 GATELEADL75008HPXPSA1 GB CS8PM1.13-GZHX-35-0-350-R18 GB CS8PM1.13-HXHY-35 GB CS8PM1.13-HYHZ-35 GB CSHPM1.13-GZHX-35-0-350-R18 GB CSHPM1.13-HXHY-35 GB CSHPM1.13-HXHZ-35-0-350-R18
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