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GL100MN1MPS

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  • 深圳市亚泰盈科电子有限公司
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    联系人:郑小姐

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
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  • GL100MN1MPS
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  • 深圳市安博威科技有限公司
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GL100MN1MPS 技术参数
  • GL100MN1MP1 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):50mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):- 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD,无引线 标准包装:1 GL100MN1MP 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):50mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):- 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:20° 朝向:通用 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装,直角 封装/外壳:2-SMD,无引线 标准包装:1 GL100MN0MP1 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):50mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):- 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD,无引线 标准包装:1 GL100MN0MP 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):50mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):- 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:20° 朝向:通用 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装,直角 封装/外壳:2-SMD,无引线 标准包装:1 GL05-HT3-GS08 功能描述:TVS DIODE 5VWM 11VC LLP753B 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):5V 电压 - 击穿(最小值):6V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:11V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):17A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:300W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:5pF @ 1MHz 工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-WDFN 供应商器件封装:LLP75-3B 标准包装:1 GL102F33CET GL102F33IDT GL102F33IET GL102F35CDT GL102F35CET GL102F35IDT GL102F35IET GL103J5J GL103J9J GL104R5J GL104R9J GL110KA7B115 GL111F23CDT GL111F23CET GL111F23IDT GL111F23IET GL111F33CDT GL111F33CET
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