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GMR20S100CTB3

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  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
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    电话:86-755-8450174913760200702

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    资质:营业执照

  • 1174

  • GAMMA

  • TO-220

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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GMR20S100CTB3 技术参数
  • GMR100HTCFIR220 功能描述:HIGH POWER LOW OHMIC CHIP SHUNT 制造商:rohm semiconductor 系列:GMR 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电阻值:220 mOhms 容差:±1% 功率(W):3W 成分:金属元素 特性:汽车级 AEC-Q200 温度系数:±20ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 170°C 封装/外壳:2512(6432 公制) 供应商器件封装:2512 大小/尺寸:0.252" 长 x 0.126" 宽(6.40mm x 3.20mm) 高度 - 安装(最大值):0.022"(0.55mm) 端子数:2 故障率:- 标准包装:1 GMR100HTCFAR100 功能描述:HIGH POWER LOW OHMIC CHIP SHUNT 制造商:rohm semiconductor 系列:GMR 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电阻值:100 mOhms 容差:±1% 功率(W):3W 成分:金属元素 特性:汽车级 AEC-Q200 温度系数:±20ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 170°C 封装/外壳:2512(6432 公制) 供应商器件封装:2512 大小/尺寸:0.252" 长 x 0.126" 宽(6.40mm x 3.20mm) 高度 - 安装(最大值):0.022"(0.55mm) 端子数:2 故障率:- 标准包装:1 GMR100HTBFQR047 功能描述:HIGH POWER LOW OHMIC CHIP SHUNT 制造商:rohm semiconductor 系列:GMR 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电阻值:47 mOhms 容差:±1% 功率(W):3W 成分:金属元素 特性:汽车级 AEC-Q200 温度系数:±20ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 170°C 封装/外壳:2512(6432 公制) 供应商器件封装:2512 大小/尺寸:0.252" 长 x 0.126" 宽(6.40mm x 3.20mm) 高度 - 安装(最大值):0.022"(0.55mm) 端子数:2 故障率:- 标准包装:1 GMR100HTBFMR033 功能描述:HIGH POWER LOW OHMIC CHIP SHUNT 制造商:rohm semiconductor 系列:GMR 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电阻值:33 mOhms 容差:±1% 功率(W):3W 成分:金属元素 特性:汽车级 AEC-Q200 温度系数:±20ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 170°C 封装/外壳:2512(6432 公制) 供应商器件封装:2512 大小/尺寸:0.252" 长 x 0.126" 宽(6.40mm x 3.20mm) 高度 - 安装(最大值):0.022"(0.55mm) 端子数:2 故障率:- 标准包装:1 GMR100HTBFIR022 功能描述:HIGH POWER LOW OHMIC CHIP SHUNT 制造商:rohm semiconductor 系列:GMR 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电阻值:22 mOhms 容差:±1% 功率(W):3W 成分:金属元素 特性:汽车级 AEC-Q200 温度系数:±20ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 170°C 封装/外壳:2512(6432 公制) 供应商器件封装:2512 大小/尺寸:0.252" 长 x 0.126" 宽(6.40mm x 3.20mm) 高度 - 安装(最大值):0.022"(0.55mm) 端子数:2 故障率:- 标准包装:1 G-MRCO-014 G-MRCO-016 G-MRCO-017 G-MRCO-021 G-MRCO-028 G-MRCO-037 GMRDSMI G-MRMO-031 GMRO GMRTD600 GMS10RVS GMS-1-X GMS-2-Q GMS-3-Q GMS-A0279BL GMS-A0280BL GMS-A0281BL GMS-A0282BL
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