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参数资料
| 型号： | G1126-02 |
| 厂商： | Hamamatsu Photonics |
| 英文描述： | GaAsP photodiode |
| 中文描述： | 镓砷磷光电二极管 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 170K |
| 代理商： | G1126-02 |
GaAsP photodiode
G1126-02, G1127-02, G2119
LOAD RESISTANCE (
)
(Typ. Ta=25 C, VR=0 V)
RISE
TIME
10
3
10
4
10
2
100
ns
1
s
10
ms
1
ms
100
s
10
s
10
5
10
6
G1127-02
G2119
G1126-02
REVERSE VOLTAGE (V)
(Typ. Ta=25 C)
DARK
CURRENT
0.01
0.1
0.001
100
fA
1
pA
1
nA
100
pA
10
pA
110
G2119
G1127-02
G1126-02
0
0.1
0.05
0.15
0.2
0.25
0.3
190
400
600
WAVELENGTH (nm)
PHOTO
SENSITIVITY
(A/W)
800
(Typ. Ta=25 C)
-0.5
0
+0.5
+1.0
+1.5
190
400
600
WAVELENGTH (nm)
TEMPERATURE
COEFFICIENT
(%/
C)
800
(Typ.)
s
Spectral response
KGPDB0034EA
s
Photo sensitivity temperature characteristic
KGPDB0035EA
s
Rise time vs. load resistance
KGPDB0036EA
s
Dark current vs. reverse voltage
KGPDB0037EA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| G1127-02 | 制造商:HAMAMATSU 制造商全称:Hamamatsu Corporation 功能描述:GaAsP photodiode |
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