型号: | G2SBA60 |
厂商: | GE Security, Inc. |
英文描述: | GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER |
中文描述: | 玻璃钝化单相桥式整流器 |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 110K |
代理商: | G2SBA60 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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G3067 | GaAsP photodiode |
G3297 | GaAsP photodiode |
G3A | GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER |
G3B | GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER |
G3D | GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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G2SBA60-E | 制造商:GULFSEMI 制造商全称:Gulf Semiconductor 功能描述:SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Voltage: 600V Current: 1.5A |
G2SBA60-E3/45 | 功能描述:桥式整流器 1.5 Amp 600 Volt Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
G2SBA60-E3/51 | 功能描述:桥式整流器 600 Volt 1.5 Amp Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
G2SBA60L/45 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:RECTFR BRIDGE SGL 600V 1.5A 4PIN CASE GBL - Rail/Tube |
G2SBA60L-E3/45 | 功能描述:桥式整流器 1.5 Amp 600 Volt Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |