| 型号: | GA200SA60UP |
| 元件分类: | 开关 |
| 英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| 文件页数: | 3/7页 |
| 文件大小: | 525K |
| 代理商: | GA200SA60UP |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GT50G321 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
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| GT50G102 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| GSRU20040 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GA200SA60UPBF | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:IGBT SOT-227 TUBE 10 |
| GA200TD120U | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| GA200TS60U | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans IGBT Module N-CH 600V 265A 7-Pin INT-A-PAK |
| GA200TS60UPBF | 功能描述:IGBT 模块 600 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| GA200TS60UX | 功能描述:IGBT 模块 600 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |