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参数资料
| 型号： | GBJ1006 |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 桥式整流 |
| 英文描述： | Aluminum Polymer SMT Capacitor; Capacitance: 1500uF; Voltage: 2.5V; Case Size: 10x8 mm; Packaging: Tape & Reel |
| 中文描述： | 10 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, GBJ, 4 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | GBJ1006 |
DS21218 Rev. 5 - 2
2 of 3
GBJ10005-GBJ1010
www.diodes.com
0.01
0.1
1.0
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
1.8
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
Fig.2 Typical Forward Characteristics (per element)
F
I
,
INST
ANT
A
NEOUS
FOR
W
A
RD
CURRENT
(A)
F
T= 25 C
J
°
0
40
80
120
160
180
1
10
100
I
,
PEAK
FWD
SURGE
CURRENT
(A)
FSM
NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz
Fig. 3 Maximum Non-Repetitive Surge Current
T= 150 C
J
°
Single half-sine-wave
(JEDEC method)
10
100
1
10
100
C
,
JUNCTION
CAP
A
CIT
A
NCE
(pF)
j
V , REVERSE VOLTAGE (V)
Fig.4 Typical Junction Capacitance
R
f = 1MHz
T= 25 C
j
°
0.1
1.0
10
100
1000
020
40
60
80
100
120
140
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE (%)
Fig.5 Typical Reverse Characteristics
T = 150 C
J
°
T = 125 C
J
°
T = 100 C
J
°
T= 25 C
J
°
0
2
4
6
8
10
12
25
50
75
100
125
150
I
,
A
VERAGE
R
ECTIFIED
C
URRENT
(A)
O
T , CASE TEMPERATURE ( C)
Fig. 1 Forward Current Derating Curve
C
°
Resistive or
Inductive load
with heatsink
without heatsink
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GBJ2506 | 4.2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| GBJ610 | 6.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
| GBJ604 | 6.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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