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参数资料
| 型号： | GBJ2506 |
| 厂商： | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 桥式整流 |
| 英文描述： | 4.2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, CASE GBJ, 4 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | GBJ2506 |
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
GBJ2504 thru GBJ2510
FIG.1 - FORWARD CURRENT DERATING CURVE
A
V
E
R
A
G
E
F
O
R
W
A
R
D
C
U
R
E
N
T
A
M
P
E
R
E
S
40
60
80
100
15
0
20
5
25
140
CASE TEMPERATURE , C
20
10
SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz
RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD
120
WITHOUT HEATSINK
WITH HEATSINK
FIG.2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE SURGE CURRENT
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
P
E
A
K
F
O
R
W
A
R
D
S
U
R
G
E
C
U
R
E
N
T
,
A
M
P
E
R
E
S
1
5
10
50
100
2
20
0
100
400
300
200
Single Half-Sine-Wave
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE , VOLTS
FIG.4 - TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
TJ = 25 C
PULSE WIDTH 300us
FIG.3 - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
C
A
P
A
C
IT
A
N
C
E
,
(p
F
)
REVERSE VOLTAGE , VOLTS
10.0
100
1000
10
1.0
100
4.0
TJ = 25 C, f = 1MHz
FIG.5 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
IN
S
T
A
N
T
A
N
E
O
U
S
R
E
V
E
R
S
E
C
U
R
E
N
T
,(
u
A
)
20
40
0
1.0
10
100
60
80
100
0.1
1000
TJ = 25 C
TJ = 125 C
TJ = 100 C
TJ = 50 C
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE, (%)
IN
S
T
A
N
T
A
N
E
O
U
S
F
O
R
W
A
R
D
C
U
R
E
N
T
,(
A
)
TJ = 125 C
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PDF描述 |
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