型号: | GDZ6V2B-V-G-08 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 6.2 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | GREEN PACKAGE-2 |
文件页数: | 3/4页 |
文件大小: | 58K |
代理商: | GDZ6V2B-V-G-08 |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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GDZ6V2B-V-GS08 | 功能描述:稳压二极管 6.2 Volt 0.2W 10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
GDZ6V2B-V-GS18 | 功能描述:稳压二极管 6.2 Volt 0.2 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
GDZ6V2LP3 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:ULTRA-SMALL LEADLESS SURFACE MOUNT ZENER DIODE |
GDZ6V2LP3-7 | 功能描述:MOSFET Zener Diode X3-DFN06 X3-DFN0603-2 T&R 10K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
GDZ6V8B-E3-08 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述: 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOD323 |