- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录60296 > GDZ8.2B (Electronics Industry Public Company Limited) Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·￥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?￡°???é???o3?o???????) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | GDZ8.2B |
| 厂商： | Electronics Industry Public Company Limited |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·￥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?￡°???é???o3?o???????) |
| 中文描述： | 在250μA低电流操作，低反向漏，低噪声稳压二极管（250μA工作电流，小反向漏电流，低噪声，齐纳二极管） |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | GDZ8.2B |
GDZ Series
ZENER DIODES
VZ : 2.2 to 36 Volts
PD : 200 mW
FEATURES :
Silicon planar power zener diodes.
Low Zener impredance and low leakage current
Popular in Asian designs
Compact surface miunt device
Ideal for automated mounting
Pb / RoHS Free
MECHANICAL DATA :
Case: SOD-323 Plastic Package
Weight: approx. 0.004g
Maximum Ratings and Thermal Characteristics
Rating at 25
°C ambient temperature unless otherwise specified.
Symbol
Value
Unit
Zener Current see Table "Characteristics"
Power Dissipation at Ta = 25
°C
PD
200
mW
Junction temperature
TJ
150
°C
Storage temperature range
TSTG
-55 to + 150
°C
Page 1 of 2
Rev. 01 : June 7, 2005
Parameter
Dimensions in inches and (millimeters)
SOD-323
0
.1
1
2
(2
.8
5
)
0
.0
7
6
(1
.9
5
)
0.059 (1.5)
0.043 (1.1)
0
.0
6
5
(1
.6
5
)
0
.1
0
(2
.5
5
)
0.012 (0.3)
m
a
x.
0
.0
0
4
(0
.1
)
0
.0
4
9
(1
.2
5
)
m
a
x.
min. 0.010 (0.25)
m
a
x.
0
.0
0
6
(0
.1
5
)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GDZ9.1B | Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·￥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?￡°???é???o3?o???????) |
| GDZJ27 | surface mount silicon Zener diodes |
| GDZJ30 | surface mount silicon Zener diodes |
| GDZJ33 | surface mount silicon Zener diodes |
| GDZJ36 | surface mount silicon Zener diodes |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GDZ8V2BLP3-7 | 功能描述:MOSFET Tight Tolerance Zene X3-DFN0603-2 T&R 10K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| GDZ8V2B-V | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Zener Diodes |
| GDZ8V2B-V-G | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Zener Diodes |
| GDZ8V2B-V-GS08 | 功能描述:稳压二极管 8.2 Volt 0.2 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| GDZ8V2B-V-GS18 | 功能描述:稳压二极管 8.2 Volt 0.2 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。