参数资料
型号: GHR16-E3/54
厂商: Vishay General Semiconductor
文件页数: 2/3页
文件大小: 65K
描述: DIODE 0.5A 1600V PHOTO FLASH R-1
标准包装: 5,500
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 1600V(1.6kV)
电流 - 平均整流 (Io): 500mA
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.5V @ 500mA
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 300ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5µA @ 1600V
安装类型: 通孔
封装/外壳: R-1(轴向)
供应商设备封装: R-1
包装: 带卷 (TR)
‘lllvVISHAYQV
wwwymhaycom
GH R16
Vishay General Semiconductor
ORDE Na INFORMA N (Example)
PREFERRED P/N
PREFERRED PACKAGE CODE BASE QUANTITY
GH R16-E3/54
GHR16>E3/73
RATINGS AND cHARAcTERIsTIcs cuRvEs(TA : 25 °C unless otherwise noted)
100
Resistive or lnducllve Load0.375“ (9.5 mm) Lead LengthSingle Phase Hall Wave 60 HZ
0.75
050
0.25
instantaneous Forward Current (A)
Average Forward Rectilied Currenl (A)
75 100 125
Ambient Temperature (°C)
Fig. 1 — Maximum Forward Current Derating Curve
30
J Max.5.3 ms Single HalfS1ne—Wave
Mo
8
Peak Fonlvard Surge Current (A)
Junction Capacitance (pF)
Number of Cycles at 60 HZ
Fig. 2 - Maximum Non-Repetitive Peak FonNard Surge Current
Revision: 24-Jul-13 2
Pulse Width : 300 us1 % Duty Cycle
0.6 0.5 1.0 1 2 1 4
Instantaneous Fonuard Voltage (V)
1.6
Fig. 3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics
100
1D
Reverse Voltage (V)
Fig. 4 - Typical Junction Capacitance
Document Number: 88618
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