参数资料
型号: GL390
厂商: Sharp Microelectronics
文件页数: 3/5页
文件大小: 0K
描述: EMITTER IR 950NM 7MW T/H
标准包装: 1,000
电流 - DC 正向(If): 100mA
辐射强度(le)最小值@正向电流: 16mW/sr @ 50mA
波长: 950nm
正向电压: 1.3V
视角: 36°
方向: 侧视图
安装类型: 通孔
封装/外壳: 径向
GL390/GL390V
Fig. 3 Spectral Distribution
100
I F = 5mA
Fig. 4 Peak Emission Wavelength vs.
Ambient Temperature
1000
I F = const.
T a = 25?C
80
975
60
950
40
925
20
0
900
880
900
920
940
960
980 1000 1020 1040
- 25
0
25
50
75
100
Wavelength λ (nm)
Fig. 5-1 Forward Current vs. Forward Voltage
Ambient temperature Ta ( ?C )
Fig. 5-2 Forward Current vs. Forward Voltage
500
(GL390)
1000
(GL390V)
+ 85?C
200
100
50
T a = 75?C
50?C
25?C
0?C
- 20?C
100
+ 50?C + 25?C
0?C
- 25?C
20
10
5
2
1
10
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
1
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
Forward voltage V
F
(V)
Forward voltage V
F
(V)
Fig. 6 Relative Radiant Flux vs. Ambient
Temperature
Fig. 7 Radiant Intensity vs. Forward Current
20
10
I F =
const.
1000
100
Ta=25?C
Pulse width 100 μ s
Duty ratio=0.01
: DC
: Pulse
5
2
1
10
1
GL390V
GL390
0.5
0.1
0.2
0.1
- 25
0
25
50
75
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
Ambient temperature Ta ( ?C)
Forward current I F (mA)
相关PDF资料
PDF描述
7680-10PK LAMP T-1 INCAND 5V BI-PIN 10PK
P51-50-A-N-D-4.5V SENSOR 50PSI 1.2-20UNF-2A 4.5V
P51-15-A-N-D-4.5V SENSOR 15PSI 1.2-20UNF-2A 4.5V
P51-3000-A-N-P-4.5V SENSOR 3000PSI 1.2-20UNF-2A 4.5V
P51-2000-A-N-P-4.5V SENSOR 2000PSI 1.2-20UNF-2A 4.5V
相关代理商/技术参数
参数描述
GL3904 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTO
GL3906 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
GL390V 功能描述:红外发射源 GL390V 9mW 950nm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk
GL3917 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Teletext Circuit
GL393 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Analog Comparator