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参数资料
| 型号： | GLT4160L04E-50TC |
| 厂商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 4M X 4 CMOS DYNAMIC RAM WITH EXTENDED DATA OUTPUT |
| 中文描述： | 4米× 4 CMOS动态RAM的扩展数据输出 |
| 文件页数： | 14/22页 |
| 文件大小： | 588K |
| 代理商： | GLT4160L04E-50TC |
G -LINK
GLT4160L04
4M X 4 CMOS DYNAMIC RAM WITH EXTENDED DATA OUTPUT
May 2001 (Rev.3.1)
G-Link Technology
2701 Northwestern Parkway
Santa Clara, CA 95051, U.S.A.
G-Link Technology Corporation,Taiwan
6F, No. 24-2, Industry E. RD, IV, Science Based
Industrial Park, Hsin Chu, Taiwan.
- 21 -
Parts Numbers (Top Mark) Definition :
GLT 4 160 L 04 S E
- 40 J3
4 : DRAM
5 : Synchronous
DRAM
6 : Standard
SRAM
7 : Cache SRAM
8 : Synchronous
Burst SRAM
9 : SGRAM
-SRAM
064 : 8K
256 : 256K
512 : 512K
100 : 1M
-DRAM
10 : 1M(C/EDO)
11 : 1M(C/FPM)
12 : 1M(H/EDO)
13 : 1M(H/FPM)
20 : 2M(EDO)
21 : 2M(FPM)
40 : 4M(EDO)
41 : 4M(FPM)
80 : 8M(EDO)
81 : 8M(FPM)
160 : 16M(EDO)
161 : 16M(FPM)
640 : 64M(EDO)
641 : 64M(FPM)
-SDRAM
40 : 4M
160 : 16M
320 : 32M,4Bank
321 : 32M,2Bank
640 : 64M
VOLTAGE
Blank : 5V
L : 3.3V
M : 2.5V
N : 2.1V
CONFIG.
04 : x04
08 : x08
16 : x16
32 : x32
SPEED
-SRAM
12 : 12ns
15 : 15ns
20 : 20ns
70 : 70ns
-DRAM
25 : 25ns
28 : 28ns
30 : 30ns
35 : 35ns
40 : 40ns
45 : 45ns
50 : 50ns
60 : 60ns
70 : 70ns
80 : 80ns
100 : 100ns
SDRAM :
5
: 5ns/200 MHZ
5.5 : 5.5ns/182 MHZ
6
: 7ns/166 MHZ
7
: 8ns/125 MHZ
10 : 10ns/100 MHZ
PACKAGE
T : PDIP(300mil)
TS : TSOP(Type I)
ST : sTSOP(Type I)
TC : TSOPll (40/44)
TD : TSOPII (44/50)
PL : PLCC
FA : 300mil SOP
FB : 330mil SOP
FC : 445mil SOP
J3 : 300mil SOJ
J4 : 400mil SOJ
P : PDIP(600mil)
Q : PQFP
TQ : TQFP
FG : 48Pin BGA 9x12
FH : 48Pin BGA 8x10
FI : 48Pin BGA 6x8
POWER
Blank : Standard
S : Self Refresh Low Power
L : Low Power
LL : Low Low Power
SL : Super Low Power
Temperature Range
E : Extended Temperature
I : Industrial Temperature
Blank : Commercial Temperature
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PDF描述 |
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