- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录383008 > GLT5640AL16L-6TC (Electronic Theatre Controls, Inc.) TUBING, HEAT SHRINK, 0.187 ID UL224 BLK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | GLT5640AL16L-6TC |
| 厂商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | TUBING, HEAT SHRINK, 0.187 ID UL224 BLK |
| 中文描述： | 4米× 16个CMOS同步动态随机存储器 |
| 文件页数： | 5/72页 |
| 文件大小： | 2315K |
| 代理商： | GLT5640AL16L-6TC |
第1页第2页第3页第4页当前第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页
G-LINK
GLT5640AL16
4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM
Feb 2004 (Rev.0.1)
G-Link Technology Corporation, Taiwan
Web : www.glink.com.tw Email : sales@glink.com.tw
TEL : 886-2-27968078
- 5 -
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Supply Voltage
Supply Voltage for Output
Input Voltage
Output Voltage
Short circuit output current
Power dissipation
Operating temperature
Storage temperature
Caution
Exposing the device to stress above those listed in Absolute Maximum Ratings could cause permanent damage. The device is not meant to be
operated under conditions outside the limits described in the operational section of this specification. Exposure to Absolute Maximum Rating conditions for
extended periods may affect device reliability.
Symbol
VDD
VDDQ
VI
VO
IO
PD
TOPT
TSTG
Conditions
Value
-0.5 to 4.6
-0.5 to 4.6
-0.5 to VDD+0.5
-0.5 to VDDQ+0.5
50
1
0 to 70
-65 to 150
Unit
V
V
V
V
mA
W
°C
°C
with respect to VSS
with respect to VSSQ
with respect to VSS
with respect to VSSQ
Ta = 25 °C
Recommended Operating Conditions (Ta = 0 ~ 70 °C, unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Limits
Typ.
3.3
3.3
0
0
Unit
Min.
3.0
3.0
0
0
2.0
-0.3
Max.
3.6
3.6
0
0
Supply Voltage
Supply Voltage for DQ
Ground
Ground for DQ
High Level Input Voltage (all inputs)
Low Level Input Voltage (all inputs)
Note :
1.All voltages are referenced to Vss = 0V.
2.VIH (max) is acceptable 5.6V AC pulse width with
≤
3ns of duration.
3.VIL (min) is acceptable -2.0V AC pulse width with
≤
3ns of duration.
VDD
VDDQ
VSS
VSSQ
VIH
VIL
V
V
V
V
V
V
VDD + 0.3
0.8
Pin Capacitance (Ta = 0 ~ 70°C, V
DD
= V
DDQ
= 3.3
±
0.3V , V
SS
= V
SSQ
= 0V, unless otherwise noted)
Parameter
Input Capacitance, address & control pin
Input Capacitance, CLK pin
Data input / output capacitance
Symbol
CIN
CCLK
CI/O
Min
2.5
2.5
4.0
Max
3.8
3.5
6.5
Unit
pF
pF
pF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GLT5640AL16L-7TC | SHRINK TUBING, .093X..046IDX.020, BLK |
| GLT5640AL16L-8TC | HEAT SHRINK TUBING, 2.4MM POLYOLEFIN, BLACK |
| GLT5640AL16P-10TC | TUBING SHRINK BLK IRRAD-PFIN 1/16 ID |
| GLT5640AL16P-5.5TC | TBG H/SHRINK FP 1/16 BLK |
| GLT5640AL16P-6TC | TUBE, SHR, POL, 063/031, BLK, 017, 600V, 135C, (934872) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GLT5640AL16L-7TC | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| GLT5640AL16L-8TC | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| GLT5640AL16P-10TC | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| GLT5640AL16P-5.5TC | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| GLT5640AL16P-6TC | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。