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参数资料
| 型号： | GLT5640L32-5.5 |
| 厂商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| 中文描述： | 200万的CMOS同步DRAM × 32内存 |
| 文件页数： | 4/72页 |
| 文件大小： | 2315K |
| 代理商： | GLT5640L32-5.5 |
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G-LINK
GLT5640AL16
4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM
Feb 2004 (Rev.0.1)
G-Link Technology Corporation, Taiwan
Web : www.glink.com.tw Email : sales@glink.com.tw
TEL : 886-2-27968078
- 4 -
Pin Function
Symbol
Input
Input
Input
Function
CLK
CKE
Master Clock: Other inputs signals are referenced to the CLK rising edge
Clock Enable: CKE HIGH activates, and CKE LOW deactivates internal clock signals, device
input buffers and output drivers. Deactivating the clock provides PRECHARGE POWER-DOWN
and SELF REFRESH operation (all banks idle), or ACTIVE POWER-DOWN (row ACTIVE in any
bank).
Chip Select:
CS
enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the command
decoder. All commands are masked when
CS
is registered HIGH.
CS
provides for external
bank selection on systems with multiple banks.
CS
is considered part of the command code.
CS
Input
RAS
,
CAS
,
WE
A0 - A13
Input
Command Inputs:
RAS
,
CAS
and
WE
(along with
CS
) define the command being entered.
Input
Address Inputs: Provide the row address for ACTIVE commands, and the column address and
AUTO PRECHARGE bit for READ/WRITE commands, to select one location out of the memory
array in the respective bank. The row address is specified by A0-A11. The column address is
specified by A0-A7
Bank Address Inputs: BA0 and BA1 define to which bank an ACTIVE, READ, WRITE or
PRECHARGE command is being applied.
Din Mask / Output Disable : When DQM is high in burst write, Din for the current cycle is
masked. When DQM is high in burst read, Dout is disable (two - clock latency).
Data Input / Output: Data bus
Power Supply for the memory array and peripheral circuitry
Power Supply are supplied to the output buffers only
BA0,BA1
Input
DQM, UDQM ,
LDQM
DQ0 - DQ15
VDD, VSS
VDDQ, VSSQ
Input
I/O
Supply
Supply
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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