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参数资料
| 型号： | GLT625608-70TC |
| 厂商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 32K x 8 SLOW SPEED CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 32K的× 8低速的CMOS静态RAM |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 1001K |
| 代理商： | GLT625608-70TC |
G-LINK
GLT625608
32K x 8 SLOW SPEED CMOS STATIC RAM
Feb, 2001(Rev. 1.1)
G-Link Technology Corporation
2701 Northwestern Parkway
Santa Clara, CA 95051, U.S.A.
G-Link Technology Corporation,Taiwan
6F,No. 24-2, Industry E. RD. IV, Science Based
Industrial Park, Hsin Chu, Tawian.
- 3 -
DC Characteristics
Sym.
V
IL
Guaranteed Input Low
Voltage
(2)(3)
V
IH
Guaranteed Input High
Voltage
(2)
I
LI
Input Leakage Current
I
LO
Output Leakage Current
V
OL
Output Low Voltage
V
OH
Output High Voltage
I
CC
Operating Power Supply
Current
I
CCSB
Standby Power Supply
Current
I
CCSB1
Power Down Power
Supply Current
Parameter
Test Conditions
Min. Typ
(1)
-0.3
Max.
+0.8
Unit
V
-
2.2
-
V
CC
+0.3
V
V
CC
=Max., V
IN
=0V to V
CC
V
CC
=Max.,
CE
≥
V
IH
V
CC
=Min.,I
OL
=8mA
V
CC
=Min., I
OH
=-4mA
V
CC
=Max.,
CE
≤
V
IL
,
I
I/O
=0mA., F=F
max
V
CC
=Max.,
CE
≥
V
IH
,
I
I/O
=0mA., F=F
max
V
CC
=Max.,
CE
≥
V
CC
.-0.2V,
V
IN
≥
V
CC
. -0.2V or
-5
-5
-
2.4
-
-
-
-
-
-
5
5
μ
A
μ
A
V
V
0.4
-
100
(3)
mA
(3)
-
-
20
mA
mA
-
10
10
1. Typical characteristics are at V
CC
=5V, T
A
=25
°
C.
2. These are absolute values with repeat to device ground and all overshoots due to system or
tester noise are included.
3. F
MAX
=1/t
RC
.
Data Retention
Sym.
V
DR
V
CC
for Data retention
CE
≥
V
CC
-0.2V
Parameter
Test Conditions
Min. Typ Max. Unit
2.0
-
V
IN
≥
V
CC
-0.2V or V
IN
≤
0.2V
CE
≥
V
DR
- 0.2V
V
IN
≥
V
DR
- 0.2V or V
IN
≤
0.2V
-
V
I
CCDR
Data Retention
Current
t
CDR
Chip Deselect to Data
Retention Time
t
R
Operating Recovery
Time
1. V
DR
= 3V, T
A
= Specified
2. t
RC
= Read Cycle Time
-
2
50
μ
A
(1)
)
See Retention Waveform
0
-
-
ns
t
RC
(2)
-
-
ns
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PDF描述 |
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