- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录383012 > GM72V66841ELT-8 (HYNIX SEMICONDUCTOR INC) 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM PDF资料下载
参数资料
| 型号： | GM72V66841ELT-8 |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 11/57页 |
| 文件大小： | 592K |
| 代理商： | GM72V66841ELT-8 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页当前第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页
LG Semicon
GM72V66841CT/CLT
Function Truth Table (Continued)
Current
state
Read
CS
RAS
CAS
WE
Address
L
H
H
H
X
L
H
H
L
X
L
H
L
H
BA, CA, A10
L
H
L
L
BA, CA, A10
L
L
H
H
BA, RA
L
L
H
L
BA, A10
L
L
L
H
X
L
L
L
L
MODE
Command
Operation
NOP
BST
READ/READ A
WRIT/WRIT A
ACTV
PRE, PALL
REF, SELF
MRS
Continue burst to end
Burst stop to full page
Term burst read/start
write
Other bank active
ILLEGAL on same bank
Term burst read and
Precharge
ILLEGAL
ILLEGAL
H
X
X
X
X
DESL
Continue burst to end
Read with
auto-
Precharge
H
X
X
X
X
L
H
H
H
X
L
H
H
L
X
L
H
L
L
BA, CA, A10
L
L
H
H
BA, RA
L
L
H
L
BA, A10
DESL
NOP
BST
WRIT/WRIT A
ACTV
PRE, PALL
Continue burst to end
and Precharge
Continue burst to end
and Precharge
ILLEGAL
ILLEGAL
L
L
L
H
X
REF, SELF
ILLEGAL
L
H
L
H
BA, CA, A10 READ/READ A ILLEGAL
ILLEGAL
Continue burst read to
CAS latency and New
read
L
L
L
L
MODE
MRS
ILLEGAL
Other bank active
ILLEGAL on same bank
10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GM72V66841ET | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841Exx | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ELT-7 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ELT-75 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET-7 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GM72V66841ET | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET-7 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET-75 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x8 SDRAM |
| GM72V66841ET-7J | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x8 SDRAM |
| GM72V66841ET-7K | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。