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参数资料
| 型号： | GM72V66841ET-8 |
| 英文描述： | x8 SDRAM |
| 中文描述： | x8 SDRAM内存 |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | GM72V66841ET-8 |
GM72V66441ET/ELT
Rev. 1.1/Apr.01
AC Characteristics
(Ta = 0 to 70 , V
CC
, V
CCQ
= 3.3 V
0.3 V, V
SS
, V
SSQ
= 0 V)
Symbol
Unit Notes
t
CK
t
CK
t
CKH
t
CKL
t
AC
t
AC
t
OH
Parameter
System clock
cycle time
(CL=2)
(CL=3)
ns
1
ns
1
CLK high pulse width
ns
1
CLK low pulse width
Access time
from CLK
(CL=2)
(CL=3)
ns
1, 2
ns
1, 2
Data-out hold time
CLK to Data-out low
impedance
CLK to Data-out
high impedance
( CL = 2,3 )
Data-in setup time
t
LZ
ns
1, 2, 3
t
HZ
ns
1, 4
t
DS
t
DH
t
AS
t
AH
t
CES
ns
1
ns
1
Data-in hold time
ns
1
Address setup time
ns
1
Address hold time
ns
1, 5
CKE setup time
CKE setup time for
power down exit
CKE hold time
t
CESP
ns
1
t
CEH
ns
1
t
CS
ns
1
Command (CS, RAS,
CAS, WE, DQM)
setup time
t
RC
ns
1
Ref/Active to Ref/Active
command period
Active to Precharge
command period
Active command to
column command
(same bank)
Precharge to active
command period
t
CH
ns
1
Command (CS, RAS,
CAS, WE, DQM)
hold time
t
RAS
ns
1
t
RCD
ns
1
t
RP
ns
1
- 7K
Min Max
10
-
10
-
3
-
3
-
-
6
-
6
3
-
2
-
-
6
2
-
1
-
2
-
1
-
2
-
2
-
1
-
2
-
70
-
1
-
50
120000
20
-
20
-
- 7J
Min Max
10
-
15
-
3
-
3
-
-
6
-
8
3
-
2
-
-
6
2
-
1
-
2
-
1
-
2
-
2
-
1
-
2
-
70
-
1
-
50
120000
20
-
20
-
- 8
Min Max
8
-
10
-
3
-
3
-
-
6
-
6
3
-
2
-
-
6
2
-
1
-
2
-
1
-
2
-
2
-
1
-
2
-
68
-
1
-
48
120000
20
-
20
-
- 75
Min Max
7.5
-
10
-
2.5
-
2.5
-
-
5.4
-
6
2.7
-
1.5
-
-
5.4
1.5
-
0.8
-
1.5
-
0.8
-
1.5
-
1.5
-
0.8
-
1.5
-
65
-
0.8
-
45
120000
20
-
20
-
- 7
Min Max
7
-
10
-
2.5
-
2.5
-
-
5.4
-
6
2.7
-
1.5
-
-
5.4
1.5
-
0.8
-
1.5
-
0.8
-
1.5
-
1.5
-
0.8
-
1.5
-
62
-
0.8
-
42
120000
20
-
20
-
-6-
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参数描述 |
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