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参数资料
| 型号： | GM72V66841Exx |
| 厂商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 2097152字× 8位× 4个银行同步动态RAM |
| 文件页数： | 11/57页 |
| 文件大小： | 592K |
| 代理商： | GM72V66841EXX |
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LG Semicon
GM72V66841CT/CLT
Function Truth Table (Continued)
Current
state
Read
CS
RAS
CAS
WE
Address
L
H
H
H
X
L
H
H
L
X
L
H
L
H
BA, CA, A10
L
H
L
L
BA, CA, A10
L
L
H
H
BA, RA
L
L
H
L
BA, A10
L
L
L
H
X
L
L
L
L
MODE
Command
Operation
NOP
BST
READ/READ A
WRIT/WRIT A
ACTV
PRE, PALL
REF, SELF
MRS
Continue burst to end
Burst stop to full page
Term burst read/start
write
Other bank active
ILLEGAL on same bank
Term burst read and
Precharge
ILLEGAL
ILLEGAL
H
X
X
X
X
DESL
Continue burst to end
Read with
auto-
Precharge
H
X
X
X
X
L
H
H
H
X
L
H
H
L
X
L
H
L
L
BA, CA, A10
L
L
H
H
BA, RA
L
L
H
L
BA, A10
DESL
NOP
BST
WRIT/WRIT A
ACTV
PRE, PALL
Continue burst to end
and Precharge
Continue burst to end
and Precharge
ILLEGAL
ILLEGAL
L
L
L
H
X
REF, SELF
ILLEGAL
L
H
L
H
BA, CA, A10 READ/READ A ILLEGAL
ILLEGAL
Continue burst read to
CAS latency and New
read
L
L
L
L
MODE
MRS
ILLEGAL
Other bank active
ILLEGAL on same bank
10
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