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参数资料
| 型号： | GMBTA42 |
| 厂商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 瑞展晶体管 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 203K |
| 代理商： | GMBTA42 |
1/2
ISSUED DATE :2003/11/27
REVISED DATE :2005/01/21B
G
G M
M B
B T
TA
A4422
N
N P
P N
N E
E P
P II T
T A
A X
X II A
A L
L P
P L
L A
A N
N A
A R
R T
T R
R A
A N
N S
S II S
S T
T O
O R
R
Description
The GMBTA42 is designed for high voltage transistor.
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
2.70
3.10
G
1.90 REF.
B
2.40
2.80
H
1.00
1.30
C
1.40
1.60
K
0.10
0.20
D
0.35
0.50
J
0.40
-
E
0
0.10
L
0.85
1.15
F
0.45
0.55
M
0 C
10 C
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 ::::
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Junction Temperature
Tj
+150
Storage Temperature
Tstg
-55~+150
Collector to Base Voltage
VCBO
300
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
300
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
6
V
Collector Current
IC
500
mA
Total Power Dissipation
PD
350
mW
Characteristics at Ta = 25 ::::
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
BVCBO
300
-
V
IC=100uA , IE=0
BVCEO
300
-
V
IC=1mA ,IB=0
BVEBO
6
-
V
IE=100uA ,IC=0
ICBO
-
100
nA
VCB=200V, IE=0
IEBO
-
100
nA
VEB=6V ,IC=0
VCE(sat)
-
500
mV
IC=20mA, IB=2mA
VBE(sat)
-
900
mV
IC=20mA, IB=2mA
hFE1
25
-
VCE=10V, IC=1mA
hFE2
40
-
VCE=10V, IC=10mA
hFE3
40
-
VCE=10V, IC=30mA
fT
50
-
MHz
VCE=20V, IC=10mA, f=100MHz
Cob
-
3
pF
VCB=20V, f=1MHz
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