型号: | GMZJ9.1BT/R |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 8.79 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | ROHS COMPLIANT, GLASS, MICROMELF-2 |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 166K |
代理商: | GMZJ9.1BT/R |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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GP202 | 2 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41 |
GP2L09A | POSITION, LINEAR SENSOR-DIFFUSE, 1-1mm, 0.50-1.90mA, RECTANGULAR, THROUGH HOLE MOUNT |
GPA-017S | GPS ANTENNA WITH LOW NOISE AMPLIFIER |
GQZ10AT/R7 | 9.36 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
GQZ11BT/R7 | 10.78 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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GN00120R00FB1280 | 功能描述:线绕电阻器 - 透孔 1watt 20ohms 1% RoHS:否 制造商:Bourns 电阻:10 Ohms 容差:5 % 功率额定值:7 W 温度系数:200 PPM / C 系列:FW 端接类型:Axial 工作温度范围:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封装:Ammo 产品:Power Resistors Wirewound High Energy |
GN00120R00FE1280 | 功能描述:线绕电阻器 - 透孔 20ohms 1% 1watt RoHS:否 制造商:Bourns 电阻:10 Ohms 容差:5 % 功率额定值:7 W 温度系数:200 PPM / C 系列:FW 端接类型:Axial 工作温度范围:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封装:Ammo 产品:Power Resistors Wirewound High Energy |
GN0012R000FB1253 | 功能描述:线绕电阻器 - 透孔 1watt 2ohms 1% RoHS:否 制造商:Bourns 电阻:10 Ohms 容差:5 % 功率额定值:7 W 温度系数:200 PPM / C 系列:FW 端接类型:Axial 工作温度范围:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封装:Ammo 产品:Power Resistors Wirewound High Energy |
GN00142R20AB1280 | 功能描述:线绕电阻器 - 透孔 1watt 42.2ohms 0.05% RoHS:否 制造商:Bourns 电阻:10 Ohms 容差:5 % 功率额定值:7 W 温度系数:200 PPM / C 系列:FW 端接类型:Axial 工作温度范围:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封装:Ammo 产品:Power Resistors Wirewound High Energy |
GN001536R0AB1280 | 功能描述:线绕电阻器 - 透孔 1watt 536ohms 0.05% RoHS:否 制造商:Bourns 电阻:10 Ohms 容差:5 % 功率额定值:7 W 温度系数:200 PPM / C 系列:FW 端接类型:Axial 工作温度范围:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封装:Ammo 产品:Power Resistors Wirewound High Energy |