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参数资料
| 型号： | GP1S53VJ000F |
| 厂商： | Sharp Microelectronics |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 150K |
| 描述： | SENSOR OPTO SLOT 5MM TRANS THRU |
| 产品变化通告： | Internal Chip Change 04/May/2007 |
| 标准包装： | 100 |
| 检测距离： | 0.197"（5mm） |
| 检测方法： | 可传导的 |
| 输出配置： | 光电晶体管 |
| 电流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 20mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 35V |
| 响应时间： | 3µs，4µs |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 4-DIP |
| 包装： | 散装 |
| 类型： | 无放大 |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 产品目录页面： | 2776 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 425-1972 425-1972-5 425-1972-5-ND |
4
Sheet No.: D2-A02601EN
GP1S53VJ000F
?SPAN class="pst GP1S53VJ000F_2587086_4">Absolute Maximum Ratings
?SPAN class="pst GP1S53VJ000F_2587086_4">Electro-optical Characteristics
(T
a
=
25贑)
Parameter
Symbol Rating Unit
Input
1
Forward current
I
F
50 mA
1, 2
Peak forward current
I
FM
1
A
Reverse voltage
V
R
6
V
Power dissipation
P
75 mW
Output
Collector-emitter voltage V
CEO
35
V
Emitter-collector voltage V
ECO
6
V
Collector current
I
C
20 mA
1
Collector power dissipation P
C
75 mW
Operating temperature
T
opr
25 to +85 贑
Storage temperature
T
stg
40 to
+
100 贑
3
Soldering temperature
T
sol
260 贑
1 Refer to Fig. 1, 2, 3
2 Pulse width d 100
?/DIV>
s, Duty ratio
=
0.01
3 For 5s or less
(T
a
=
25贑)
Parameter
Symbol
Condition
MIN. TYP. MAX. Unit
Input
Forward voltage
V
F
I
F
=20mA
1.25 1.4 V
Peak forward voltage
V
FM
I
FM
=
0.5A
3 4 V
Reverse current
I
R
V
R
=3V
10 糀
Output Collector dark current
I
CEO
V
CE
=20V
1 100 nA
Transfer
charac-
teristics
Collector current
I
C
V
CE=
5V, I
F=
20mA
0.5
15 mA
Collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
I
F
=40mA, I
C
=0.2mA
0.4 V
Response time
Rise time
t
r
V
CE=
2V, I
C=
2mA, R
L=
100
?/DIV>
3 15
?/DIV>
s
Fall time
t
f
4 20
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