参数资料
型号: GP1S560J000F
厂商: Sharp Microelectronics
文件页数: 2/5页
文件大小: 66K
描述: SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS THRU
产品变化通告: Internal Chip Change 04/May/2007
Product Discontinuation 04/Jan/2012
标准包装: 200
检测距离: 0.079"(2mm)
检测方法: 可传导的
输出配置: 光电晶体管
电流 - DC 正向(If): 50mA
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 20mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 35V
响应时间: 38µs,48µs
安装类型: 通孔
封装/外壳: PCB 安装
包装: 管件
类型: 无放大
工作温度: -25°C ~ 85°C
产品目录页面: 2776 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 425-1973-5
sElectro-optical Characteristics
(
Ta=25贑
)
Parameter
Symbol
Conditions
Input
Forward voltage
VF
IF=20mA
Peak forward voltage
VFM    IFM=0.5A
Reverse current
I
R
V
R
=3V
Output    Collector dark current
ICEO    VCE=20V
Transfer-
charac-
teristics
VCE=5V, IF=20mA
Collector-emitter
saturation voltage
I
F
=40mA,
Response time
Rise time   tr
V
CE
=2V, I
C
=0.5mA
R
L
=1k&
Fall time   t
f
GP1S560
-25    0    25    50    75 85  100
0
10
20
30
40
50
60
-25    0    25    50    75 85  100
0
40
60
80
100
120
75
500
200
100
50
20
5
2    5
2    5
Duty ratio
Pulse width<=100祍
Fig. 1 Forward Current vs.
  Ambient Temperature
Fig. 2 Collector Power Dissipation vs.
  Ambient Temperature
Ambient temperature T
a
 (贑)
Ambient temperature T
a
 (贑)
Forward voltage V
F
 
(
V
)
T
a
= 25贑
Fig. 4 Forward Current vs.
  Forward Voltage
  Duty Ratio
IC=0.2mA
MIN.  TYP.  MAX.  Unit
-    1.2   1.4   V
-    3    4    V
-    -    10   礎
-    -
0.2    -    -   mA
-    -    0.4   V
-    38   90   祍
-    48   100   祍
VCE(sat)
20
15
10
-2
10
-1
50贑
0贑
25贑
500
200
100
50
20
10
5
2
1
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
T
a
=75贑
-25贑
Fig. 3 Peak Forward Current vs.
100   nA
2000
1000
1
Collector Current
Ic
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