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参数资料
| 型号： | GP1UM272XK |
| 厂商： | SHARP ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | 光电元器件 |
| 英文描述： | LOGIC OUTPUT PHOTO DETECTOR |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | GP1UM272XK |
GP1UM26XK/27XK/28XK/28YK Series
s Absolute Maximum Ratings
*1 No dew condensation is allowed
*2 For 5s (At mounting on PCB with thickness of 1.6mm)
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Supply voltage
VCC
V
Operating temperature
Topr
10 to +70
°C
0 to
+6.0
*1
*2
Storage temperature
Tstg
20 to +70
°C
Soldering temperature
Tsol
260
°C
(Ta
=25°C)
s Recommended Operating Conditions
Parameter
Symbol Operating conditions
Unit
VCC
4.5 to 5.5
V
Supply voltage
s Internal Block Diagram
VOUT
RL
VCC
GND
B.P.F.
Limiter
Demodulator Integrator Comparator
Parameter
Conditions
No input light
*3
*3 IOL
=1.6mA
*3
MIN.
VCC
0.5
400
600
TYP.
0.95
MAX.
1.5
0.45
1 000
1 200
Unit
mA
V
s
Dissipation current
High level output voltage
Low level output voltage
High level pulse width
Symbol
ICC
VOH
T1
VOL
T2
Low level pulse width
*4
kHz
f0
B.P.F. center frequency
70
100
130
k
RL
Output pull-up resistance
*3 The burst wave as shown in the following figure shall be transmitted by the transmitter shown in Fig. 1
The carrier frequency of the transmitter, however, shall be same as *4, and measurement shall be from just after starting the transmission until 50 pulse
*4 The B.P.F. center frequency f0 varies with model, as shown in s Model Line-up
(Ta=25C, VCC=5V)
s Electro-optical Characteristics
1 000
s
600
s
f0=(*4)
Duty 50%
Burst wave
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GPP1B | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| GPP1K | 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| GPP1M | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| GPP5B | 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| GPPC4IG1MAY | INTERCONNECTION DEVICE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| GP1UM277RK | 功能描述:RECEIVER REMOTE CTRL TOP 56.8KHZ RoHS:否 类别:传感器，转换器 >> 光学 - 光电检测器 - 遥控接收器 系列:* 标准包装:250 系列:* |
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