| 型号: | GP2L26C |
| 元件分类: | 开关 |
| 英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| 文件页数: | 7/7页 |
| 文件大小: | 525K |
| 代理商: | GP2L26C |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| GP2L26J0000F | 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述: |
| GP2M002A060FG | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4 欧姆 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):360pF @ 25V 功率 - 最大值:17.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220F 标准包装:1 |
| GP2M004A060PG | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A IPAK 制造商:global power technologies group 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.5 欧姆 @ 2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):545pF @ 25V 功率 - 最大值:86.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:1 |
| GP2M004A065FG | 功能描述:MOSFET N-CH 650V 4A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.4 欧姆 @ 2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):642pF @ 25V 功率 - 最大值:32.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220F 标准包装:1 |