参数资料
型号: GP2S60B
厂商: Sharp Microelectronics
文件页数: 6/15页
文件大小: 0K
描述: PHOTOINTERRUPTER TRANS OUT 4X3
产品变化通告: Internal Chip Change 04/May/2007
标准包装: 1
检测距离: 0.028"(0.7mm)
检测方法: 反射
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 35V
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 20mA
电流 - DC 正向(If): 50mA
输出类型: 光电晶体管
响应时间: 20µs,20µs
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 4-SMD,无引线
包装: 标准包装
工作温度: -25°C ~ 85°C
产品目录页面: 2776 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 425-2670-6
GP2S60
Fig.7 Collector Dark Current vs.
Ambient Temperature
Fig.8 Response Time vs. Load
Resistance
10 ? 6
V CE = 20V
1 000
V CE = 2V
I C = 100 μ A
T a = 25 ? C
10 ? 7
10 ? 8
100
10
t d
t r
t f
10
? 9
t s
10 ? 10
1
0
25
50
75
100
0.1
1
10
100
1 000
Ambient temperature T a ( ? C)
Fig.9 Test Circuit for Response Time
Load resistance R L (k Ω )
Fig.10 Relative Collector Current vs.
Distance
Reflector
Plate
R D
V CC
R L
Input
100
90
80
V CE = 2V
I F = 4mA
T a = 25 ? C
Al evaporation glass
Input
Output Output
10%
70
60
t d
t r
t s
t f
90%
50
40
30
20
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
Distance between sensor and Aluminum evaporation glass L (mm)
Fig.11 Spectral Sensitivity
Fig.12 Detecting Position Characteristics (1)
100
100
OMS test card
T a = 25 ? C
d
1mm
80
60
40
20
80
60
40
20
Sensor ? 0 +
V CE = 2V
I F = 4mA
d = 1mm
0
600
700
800
900
1 000
1 100
1 200
? 3
? 2
? 1
0
1
2
3
4
5
6
Wavelength λ (nm)
6
OMS card moving distance (mm)
Sheet No.: D3-A02101EN
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PDF描述
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