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参数资料
| 型号： | GQZJ3.6AT/R7 |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 3.58 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, GLASS, QUADROMELF-2 |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 95K |
| 代理商： | GQZJ3.6AT/R7 |
PAGE . 4
STAD-JAN.27.2004
FIG. 1 POWER DERATING CURVE
50
0
100
200
300
400
500
100
150
200
250
AMBIENT TEMPERATURE, C
O
POWER
DISSIP
A
TION,
mW
atts
0
Iz
(mA)
Vz (V)
2.4 3.3 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.8
9.1
11
12
15
20
22
24
27
10
20
30
40
50
5
10
15
20
25
30
Test Current
Iz=5mA
Fig.2 BREAKDOWN CHARACTERISTICS
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
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