参数资料
型号: GQZJ9.1CT/R7
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: 9.07 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封装: ROHS COMPLIANT, GLASS, QUADROMELF-2
文件页数: 2/4页
文件大小: 95K
代理商: GQZJ9.1CT/R7
PAGE . 2
STAD-JAN.27.2004
r
e
b
m
u
N
t
r
a
P
S
A
L
C
V Z @IZT
Z
I
(m )
A
R
V
)
V
(
)
A
u
(
R
I
X
A
M
t
z
I
)
A
m
(
ZZT(
)
X
A
M
IZK
(m )
A
ZZK(
)
X
A
M
V
.
n
i
M
V
.
x
a
M
0
.
2
J
Z
Q
G
A
8
.
1
0
1
.
2
5
.
0
2
1
5
0
1
5
.
0
1
B
2
0
.
2
0
2
.
2
.
2
J
Z
Q
G
A
2
1
.
2
0
3
.
2
5
7
.
0
1
5
0
1
5
.
0
1
B
2
.
2
1
4
.
2
4
.
2
J
Z
Q
G
A
3
.
2
5
.
2
5
0
.
1
0
2
1
5
0
1
5
.
0
1
B
3
4
.
2
3
6
.
2
7
.
2
J
Z
Q
G
A
4
5
.
2
5
7
.
2
5
0
.
1
0
1
5
0
1
5
.
0
1
B
9
6
.
2
1
9
.
2
0
.
3
J
Z
Q
G
A
5
8
.
2
7
0
.
3
5
0
.
1
0
5
0
2
1
5
.
0
1
B
1
0
.
3
2
.
3
.
3
J
Z
Q
G
A
6
1
.
3
8
3
.
3
5
0
.
1
0
2
5
0
2
1
5
.
0
1
B
2
3
.
3
5
.
3
6
.
3
J
Z
Q
G
A
5
4
.
3
5
9
6
.
3
5
0
.
1
0
1
5
0
1
0
1
B
0
6
.
3
5
4
8
.
3
9
.
3
J
Z
Q
G
A
4
7
.
3
1
0
.
4
5
0
.
1
5
0
1
0
1
B
9
8
.
3
6
1
.
4
3
.
4
J
Z
Q
G
A
4
0
.
4
9
2
.
4
5
0
.
1
5
0
1
0
1
B
7
1
.
4
3
4
.
4
C
0
3
.
4
7
5
.
4
7
.
4
J
Z
Q
G
A
4
.
4
8
6
.
4
5
0
.
1
5
0
9
1
0
9
B
5
.
4
0
8
.
4
C
8
6
.
4
3
9
.
4
1
.
5
J
Z
Q
G
A
1
8
.
4
7
0
.
5
.
1
5
0
8
1
0
8
B
4
9
.
4
0
2
.
5
C
9
0
.
5
7
3
.
5
6
.
5
J
Z
Q
G
A
8
2
.
5
.
5
.
2
5
0
6
1
0
5
B
5
4
.
5
3
7
.
5
C
1
6
.
5
1
9
.
5
2
.
6
J
Z
Q
G
A
8
7
.
5
9
0
.
6
5
0
.
3
5
0
6
1
0
3
B
6
9
.
5
7
2
.
6
C
2
1
.
6
4
.
6
8
.
6
J
Z
Q
G
A
9
2
.
6
3
6
.
6
5
.
3
2
5
0
2
5
.
0
5
1
B
9
4
.
6
3
8
.
6
C
6
.
6
1
0
.
7
5
.
7
J
Z
Q
G
A
5
8
.
6
2
.
7
5
0
.
4
5
.
0
5
0
2
5
.
0
2
1
B
7
0
.
7
5
4
.
7
C
9
2
.
7
6
.
7
2
.
8
J
Z
Q
G
A
3
5
.
7
2
9
.
7
5
0
.
5
.
0
5
0
2
5
.
0
2
1
B
8
7
.
7
9
1
.
8
C
3
0
.
8
5
4
.
8
1
.
9
J
Z
Q
G
A
9
2
.
8
3
7
.
8
5
0
.
6
5
.
0
5
2
5
.
0
2
1
B
7
5
.
8
1
0
.
9
C
3
8
.
8
0
3
.
9
0
1
J
Z
Q
G
A
2
1
.
9
5
.
9
5
0
.
7
2
.
0
5
0
3
5
.
0
2
1
B
1
4
.
9
0
9
.
9
C
0
7
.
9
0
2
.
0
1
D
4
9
.
9
4
.
0
1
J
Z
Q
G
A
8
1
.
0
1
7
.
0
1
5
0
.
8
2
.
0
5
0
3
5
.
0
2
1
B
0
5
.
0
1
5
0
.
1
C
2
8
.
0
1
8
3
.
1
相关PDF资料
PDF描述
GS1004FLT/R7 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE
GS1006FL 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE
GS1010FLT/R13 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE
GS1010FLT/R7 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE
GS1515 HDTV Serial Digital Reclocker
相关代理商/技术参数
参数描述
GR CS8PM1.23-JUKQ-1 功能描述:LED OSLON SSL80 RED 626NM SMD 制造商:osram opto semiconductors inc. 系列:OSLON? SSL 80 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 颜色:红色 波长:626nm(620nm ~ 632nm) 电流 - 测试:350mA 电压 - 正向(Vf)(典型值):2.1V 不同测试电流时的流明/瓦:101 lm/W 电流 - 最大值:1A 通量 @ 电流/温度 -测试:74 lm(66 lm ~ 82 lm) 温度 - 测试:25°C 视角:80° 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1212(3030 公制) 供应商器件封装:SMD 大小/尺寸:0.118" 长 x 0.118" 宽(3.00mm x 3.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.091"(2.31mm) 封装热阻:5.3°C/W 标准包装:1
GR CSHPM1.23-JUKQ-1 功能描述:LED OSLON SSL150 RED 626NM SMD 制造商:osram opto semiconductors inc. 系列:OSLON? SSL 150 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 颜色:红色 波长:626nm(620nm ~ 632nm) 电流 - 测试:350mA 电压 - 正向(Vf)(典型值):2.1V 不同测试电流时的流明/瓦:101 lm/W 电流 - 最大值:1A 通量 @ 电流/温度 -测试:74 lm(66 lm ~ 82 lm) 温度 - 测试:25°C 视角:150° 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1212(3030 公制) 供应商器件封装:SMD 大小/尺寸:0.118" 长 x 0.118" 宽(3.00mm x 3.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.091"(2.31mm) 封装热阻:5.3°C/W 标准包装:1
GR DASPA1.23-FQFS-26-1 功能描述:大功率LED - 单色 Red DURIS P 5 RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 照明颜色:Red 波长:625 nm 光强度:4.62 cd 光通量/辐射通量:15 lm 正向电流:100 mA 正向电压:2.05 V 安装风格:SMD/SMT 功率额定值: 系列: 封装:Reel
GR DASPA2.23-GRGT-24-FH-100-R18 功能描述:OSCONIQ P 2226 RED 制造商:osram opto semiconductors inc. 系列:OSCONIQ? P 2226 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 颜色:红色 波长:618nm 电流 - 测试:100mA 电压 - 正向(Vf)(典型值):2.1V 不同测试电流时的流明/瓦:100 lm/W 电流 - 最大值:250 mA 通量 @ 电流/温度 -测试:21 lm(标准) 温度 - 测试:25°C 视角:120° 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1009(2622 裸露焊盘) 供应商器件封装:SMD 大小/尺寸:0.102" 长 x 0.087" 宽(2.60mm x 2.20mm) 高度 - 安装(最大值):0.052"(1.31mm) 标准包装:1
GR PSLR31.13-GTHP-R1R2-1 功能描述:LED DURIS S 5 RED 620NM SMD 制造商:osram opto semiconductors inc. 系列:DURIS? S 5 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 颜色:红色 波长:620nm 电流 - 测试:150mA 电压 - 正向(Vf)(典型值):6.25V 不同测试电流时的流明/瓦:29 lm/W 电流 - 最大值:200 mA 通量 @ 电流/温度 -测试:27 lm(标准) 温度 - 测试:25°C 视角:120° 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1212(3030 公制) 供应商器件封装:SMD 大小/尺寸:0.118" 长 x 0.118" 宽(3.00mm x 3.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.028"(0.70mm) 封装热阻:17°C/W 标准包装:1