- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录60612 > GS1006FL (PanJit International Inc.) SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES PDF资料下载
参数资料
| 型号： | GS1006FL |
| 厂商： | PanJit International Inc. |
| 英文描述： | SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES |
| 中文描述： | 表面贴装开关二极管 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 106K |
| 代理商： | GS1006FL |
PAGE . 2
STAD-FEB.27.2007
GS1000FL~GS1010FL
Fig.1 FORWARD CURRENT DERATING CURVE
Fig.4 TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
Fig.3 TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
3.0
2.0
1.0
0
50
100
150
0.5
1.5
2.5
LEAD TEMPERATURE, C
O
PERCENT OF PEAK REVERSE VOLTAGE,%
A
VERAGE
F
OR
W
A
RD
RECTIFIED
CURRENT
,
A
MPERES
INST
ANT
A
NEOUS
R
EVERSE
CURRENT
,uA
100
1.0
0.01
20
40
60
80
100
0.001
0.1
0
10
T=25 C
J
O
T=75 C
J
O
T =125 C
J
O
100
40
20
10
4.0
2.0
1.0
0.4
0.2
0.1
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0.4
Fig.2-TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD
CHARACTERISTICS
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, VOLTS
INST
ANT
A
NEOUS
F
OR
W
A
RD
CURRENT
,
AMPERES
10
0.1
1.0
100
1000
1
2
5
10
20
50
100
CAP
A
CIT
A
NCE,
p
F
T= 25 C
J
O
REVERSE VOLTAGE, VOLTS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS1008FL | SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES |
| GS1010FL | SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES |
| GS123 | NPN EPITAXIAL TRANSISTOR |
| GS1332E | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GS1333 | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GS1006FL _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| GS1006FL_ R2 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| GS1006FL-AU | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE GENERAL PURPOSE RECTIFIERS |
| GS100701 | 功能描述:速度传感器 15/32" ALUM BARREL RoHS:否 制造商:Honeywell 最大工作温度:+ 120 C 电源电压: 电源电流: 输出电压:190 V 工作电源电压: 安装风格:Screw 最小工作温度:- 55 C 系列:High Output VRS |
| GS1008CHGR-R22K | 制造商:GANG SONG 功能描述:IND1008-R22K |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。