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参数资料
| 型号： | GS71116AJ-8T |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 64K X 16 STANDARD SRAM, 8 ns, PDSO44 |
| 封装： | 0.400 INCH, SOJ-44 |
| 文件页数： | 12/15页 |
| 文件大小： | 551K |
| 代理商： | GS71116AJ-8T |
GS71116ATP/J/U
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.09 10/2007
6/15
2001, GSI Technology
AC Characteristics
* These parameters are sampled and are not 100% tested.
Read Cycle 1: CE = OE = VIL, WE = VIH, UB and, or LB = VIL
Read Cycle
Parameter
Symbol
-7
-8
-10
-12
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Read cycle time
tRC
7
—
8
—
10
—
12
—
ns
Address access time
tAA
—
7
—
8
—
10
—
12
ns
Chip enable access time (CE)
tAC
—
7
—
8
—
10
—
12
ns
Byte enable access time (UB, LB)
tAB
—
3
—
3.5
—
4
—
5
ns
Output enable to output valid (OE)
tOE
—
3
—
3.5
—
4
—
5
ns
Output hold from address change
tOH
3
—
3
—
3
—
3
—
ns
Chip enable to output in low Z (CE)
tLZ*
3
—
3
—
3
—
3
—
ns
Output enable to output in low Z (OE)
tOLZ*
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
Byte enable to output in low Z (UB, LB)
tBLZ*
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
Chip disable to output in High Z (CE)
tHZ*
—
3.5
—
4
—
5
—
6
ns
Output disable to output in High Z (OE)
tOHZ*
—
3
—
3.5
—
4
—
5
ns
Byte disable to output in High Z (UB, LB)
tBHZ*
—
3
—
3.5
—
3.5
—
3.5
—
tAA
tOH
tRC
Address
Data Out
Previous Data
Data valid
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