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参数资料
| 型号： | GS8151Z36 |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水线式和流通型同步NBT静态RAM) |
| 中文描述： | 16Mb的流水线和流量，通过同步唑的SRAM（1,600位流水线式和流通型同步唑静态内存） |
| 文件页数： | 16/27页 |
| 文件大小： | 683K |
| 代理商： | GS8151Z36 |
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Rev: 1.01 1/2001
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
16/27
2000, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS8151Z18/36T-225/200/180/166/150/133
Capacitance
(T
A
= 25
o
C, f = 1 MH
Z
, V
DD
= 3.3 V)
Note: These parameters are sample tested.
Package Thermal Characteristics
Notes:
1.
Junction temperature is a function of SRAM power dissipation, package thermal resistance, mounting board temperature, ambient. Temper-
ature air flow, board density, and PCB thermal resistance.
SCMI G-38-87
Average thermal resistance between die and top surface, MIL SPEC-883, Method 1012.1
2.
3.
Parameter
Symbol
C
IN
Test conditions
V
IN
= 0 V
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance
4
5
pF
Input/Output Capacitance
C
I/O
V
OUT
= 0 V
6 (x36)
12 (x18)
7 (x36)
12 (x18)
pF
Rating
Layer Board
Symbol
R
Θ
JA
R
Θ
JA
R
Θ
JC
Max
Unit
Notes
Junction to Ambient (at 200 lfm)
single
40
°
C/W
°
C/W
°
C/W
1,2
Junction to Ambient (at 200 lfm)
four
24
1,2
Junction to Case (TOP)
—
9
3
20% tKC
V
SS
– 2.0 V
50%
V
SS
V
IH
Undershoot Measurement and Timing
Overshoot Measurement and Timing
20% tKC
V
DD
+ 2.0 V
50%
V
DD
V
IL
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