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参数资料
| 型号： | GS816032T-133 |
| 厂商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M×18，512k×32，512k×36 18M位同步突发静态存储器 |
| 文件页数： | 10/28页 |
| 文件大小： | 810K |
| 代理商： | GS816032T-133 |
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Rev: 2.12 3/2002
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
10/28
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS816018/32/36T-250/225/200/166/150/133
Simplified State Diagram
First Write
First Read
Burst Write
Burst Read
Deselect
R
W
CR
CW
X
X
W
R
R
W
R
X
X
X
S
S
CR
R
CW
CR
CR
Notes:
1.
2.
The diagram shows only supported (tested) synchronous state transitions. The diagram presumes G is tied low.
The upper portion of the diagram assumes active use of only the Enable (E1, E2, and E3) and Write (B
A
, B
B
, B
C
, B
D
, BW, and GW)
control inputs, and that ADSP is tied high and ADSC is tied low.
The upper and lower portions of the diagram together assume active use of only the Enable, Write, and ADSC control inputs, and
assumes ADSP is tied high and ADV is tied low.
3.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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