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参数资料
| 型号： | GS816032T-250 |
| 厂商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M×18，512k×32，512k×36 18M位同步突发静态存储器 |
| 文件页数： | 15/28页 |
| 文件大小： | 810K |
| 代理商： | GS816032T-250 |
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Rev: 2.12 3/2002
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
15/28
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS816018/32/36T-250/225/200/166/150/133
AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
Input low level
Input slew rate
Input reference level
V
DD
– 0.2 V
0.2 V
1 V/ns
V
DD
/2
V
DDQ
/2
Fig. 1
Output reference level
Output load
Notes:
1.
Include scope and jig capacitance.
2.
Test conditions as specified with output loading as shown in
Fig.
1
unless otherwise noted.
3.
Device is deselected as defined by the Truth Table.
DC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Max
Input Leakage Current
(except mode pins)
I
IL
V
IN
= 0 to V
DD
–
1 uA
1 uA
ZZ Input Current
I
IN1
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IH
0 V
≤
V
IN
≤
V
IH
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IL
0 V
≤
V
IN
≤
V
IL
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DD
I
OH
=
–
8 mA, V
DDQ
= 2.375 V
I
OH
=
–
8 mA, V
DDQ
= 3.135 V
I
OL
= 8 mA
–
1 uA
–
1 uA
1 uA
100 uA
FT Input Current
I
IN2
–
100 uA
–
1 uA
1 uA
1 uA
Output Leakage Current
I
OL
V
OH2
V
OH3
V
OL
–
1 uA
1 uA
Output High Voltage
1.7 V
—
Output High Voltage
2.4 V
—
Output Low Voltage
—
0.4 V
DQ
V
DDQ/2
50
30pF
*
Output Load 1
* Distributed Test Jig Capacitance
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| GS816036BGT-150T | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 100TQFP - Tape and Reel |
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