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参数资料
| 型号： | GS8161E18BGD-150 |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 |
| 文件页数： | 9/35页 |
| 文件大小： | 766K |
| 代理商： | GS8161E18BGD-150 |
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GS8161E18B(T/D)/GS8161E32B(D)/GS8161E36B(T/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 9/2005
9/35
2004, GSI Technology
GS8161E18/32/36B Block Diagram
A1
A0
A0
A1
D0
D1
Q1
Q0
Counter
Load
D
Q
D
Q
Register
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
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D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
R
D
Q
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A0–An
LBO
ADV
CK
ADSC
ADSP
GW
BW
B
A
E
1
E
2
E
3
G
ZZ
Power Down
Control
Memory
Array
36
36
4
A
Q
D
DQx1–DQx9
Note: Only x36 version shown for simplicity.
B
B
B
C
B
D
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PDF描述 |
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