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参数资料
| 型号： | GS8161E18BGT-200V |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PQFP100 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, TQFP-100 |
| 文件页数： | 9/35页 |
| 文件大小： | 779K |
| 代理商： | GS8161E18BGT-200V |
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Note: Only x36 version shown for simplicity.
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B
B
B
C
B
D
GS8161ExxB(T/D)-xxxV
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01a 6/2006
9/35
2004, GSI Technology
GS8161E18/32/36B-xxxV Block Diagram
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PDF描述 |
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