型号: | GS8161E18D-133 |
厂商: | Electronic Theatre Controls, Inc. |
元件分类: | DRAM |
英文描述: | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
中文描述: | 1M×18,512k×32,512k×36 18M位同步突发静态存储器 |
文件页数: | 16/36页 |
文件大小: | 939K |
代理商: | GS8161E18D-133 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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GS8161E18D-133I | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
GS8161E18T-133I | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
GS8161E18T-150 | Quad 2-input Exclusive-OR gates 14-PDIP 0 to 70 |
GS8161E18T-150I | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
GS8161E18T-166 | Quad 2-input Exclusive-OR gates 14-PDIP 0 to 70 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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GS8161E18D-133I | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
GS8161E18D-150 | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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GS8161E18D-166 | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
GS8161E18D-166I | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |