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参数资料
| 型号： | GS8161E18D-133I |
| 厂商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M×18，512k×32，512k×36 18M位同步突发静态存储器 |
| 文件页数： | 2/36页 |
| 文件大小： | 939K |
| 代理商： | GS8161E18D-133I |
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GS8161Z18(T/D)/GS8161Z32(D)/GS8161Z36(T/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 2.15 11/2004
2/36
1998, GSI Technology
GS8161Z18T Pinout (Package T)
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8161E18T-133I | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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| GS8161E18T-150I | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18T-166 | Quad 2-input Exclusive-OR gates 14-PDIP 0 to 70 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| GS8161E18D-150I | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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| GS8161E18D-166I | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18D-200 | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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