参数资料
型号: GS8161E18T-150I
厂商: Electronic Theatre Controls, Inc.
元件分类: DRAM
英文描述: 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
中文描述: 1M×18,512k×32,512k×36 18M位同步突发静态存储器
文件页数: 3/36页
文件大小: 939K
代理商: GS8161E18T-150I
GS8161Z18(T/D)/GS8161Z32(D)/GS8161Z36(T/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 2.15 11/2004
3/36
1998, GSI Technology
GS8161Z36T Pinout (Package T)
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
V
DDQ
V
SS
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
V
SS
V
DDQ
DQ
C
DQ
C
FT
V
DD
NC
V
SS
DQ
D1
DQ
D
V
DDQ
V
SS
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
V
SS
V
DDQ
DQ
D
V
DDQ
V
SS
DQ
B
DQ
B
DQ
B
V
SS
V
DDQ
DQ
B
DQ
B
V
SS
NC
V
DD
ZZ
DQ
A
DQ
A
V
DDQ
V
SS
DQ
A
DQ
A
DQ
A
V
SS
V
DDQ
DQ
A
L
A
A
A
A
A
1
A
0
T
T
V
S
V
D
T
T
A
A
E
1
E
2
B
D
B
C
B
B
B
A
E
3
C
W
C
V
D
V
S
G
A
A
A
A
A
512K x 36
Top View
DQ
B
DQP
B
DQ
B
DQ
B
DQ
A
DQ
A
DQP
A
DQ
C
DQ
C
DQ
D
DQP
D
DQP
C
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
相关PDF资料
PDF描述
GS8161E18T-166 Quad 2-input Exclusive-OR gates 14-PDIP 0 to 70
GS8161E18T-166I Quad 2-input Exclusive-OR gates 14-SO 0 to 70
GS8161E18T-200 Quad 2-input Exclusive-OR gates 14-SO 0 to 70
GS8161E18T-200I 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
GS8161E18T-225 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
相关代理商/技术参数
参数描述
GS8161E18T-166 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
GS8161E18T-166I 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
GS8161E18T-200 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
GS8161E18T-200I 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
GS8161E18T-225 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs