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参数资料
| 型号： | GS8161E32BGD-250V |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 32 CACHE SRAM, 5.5 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 |
| 文件页数： | 11/35页 |
| 文件大小： | 779K |
| 代理商： | GS8161E32BGD-250V |
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GS8161ExxB(T/D)-xxxV
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01a 6/2006
11/35
2004, GSI Technology
Byte Write Truth Table
Function
GW
BW
B
A
B
B
B
C
B
D
Notes
Read
H
H
X
X
X
X
1
Read
H
L
H
H
H
H
1
Write byte a
H
L
L
H
H
H
2, 3
Write byte b
H
L
H
L
H
H
2, 3
Write byte c
H
L
H
H
L
H
2, 3, 4
Write byte d
H
L
H
H
H
L
2, 3, 4
Write all bytes
H
L
L
L
L
L
2, 3, 4
Write all bytes
Notes:
1.
All byte outputs are active in read cycles regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
2.
Byte Write Enable inputs B
A
, B
B
, B
C
and/or B
D
may be used in any combination with BW to write single or multiple bytes.
3.
All byte I/Os remain High-Z during all write operations regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
4.
Bytes “
C
” and “
D
” are only available on the x36 version.
L
X
X
X
X
X
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